日厂抢攻EV用SiC功率半导体，东芝传扩产至10倍 来源:未知 | 发布时间:1638920719 | 浏览次数： 抢攻电动车（EV）商机、日厂忙增产EV用次世代半导体碳化硅（SiC）功率半导体，其中东芝传出计划将产量扩增至10倍。 　　 　　日经新闻3日报导，因看好来自电动车（EV）的需求将扩大，也让东芝、罗沐等日本厂商开始相继增产节能性能提升的EV用次世代半导体。各家日厂增产的对象为用来供应\控制电力的“功率半导体”产品，不过使用的材料不是现行主流的硅（Si）、而是采用了碳化硅（SiC）。SiC功率半导体使用于EV逆变器上的话，耗电力可缩减5~8%、可提升续航距离，目前特斯拉和中国车厂已开始在部分车款上使用SiC功率半导体。 　　 　　报导指出，因看好来自EV的需求有望呈现急速扩大，东芝半导体事业子公司“东芝电子元件及储存装置（ToshibaElectronicDevices&Storage）”计划在2023年度将旗下姬路半导体工厂的SiC功率半导体产量扩增至2020年度的3倍、之后计划在2025年度进一步扩增至10倍，目标最迟在2030年度取得全球一成以上市占率。 　　 　　另外，罗沐将投资500亿日元、目标在2025年之前将SiC功率半导体产能提高至现行的5倍以上。罗沐位于福冈县筑后市的工厂内已盖好SiC新厂房、目标2022年启用，中国大陆吉利汽车的EV已决定采用罗沐的SiC功率半导体产品，而罗沐目标在早期内将全球市占率自现行的近两成提高至三成。 　　 　　富士电机考虑将SiC功率半导体开始生产的时间自原先计划（2025年）提前半年到1年。，日厂抢攻EV用SiC功率半导体，东芝传扩产至10倍    上一篇：新加坡光伏开发商SUN Energy公司在A轮融资中筹集2500万美元  下一篇：日本东丽携手信越化学开发新型量产设备，降低MicroLED生产成本