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台媒:芯片制造商拟提高QL NND产量[]
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据业内消息人士透露,由于个人电脑(PC)和数据中心的需求强劲,全球主要的NAND闪存供应商准备在今年年底至2022年之间提高QLCNAND产量。
  
  digitimes报道指出,消息人士称,随着OEM越来越多地在其产品中采用QLCSSD,芯片供应商将增加用于PC的QLCNAND产量。与此同时,数据中心应用的QLCNAND需求前景广阔,这也鼓励了主要芯片供应商加强在该领域的部署。
  
  从各大厂商的动作来看,英特尔已经推出了面向企业存储应用的144层QLC固态硬盘系列产品,并于今年上半年开始面向数据中心应用出货。英特尔采用浮栅技术制造的QLCNAND依然是该领域的领导者。
  
  美光已将其176层TLCNAND的生产良率提高到相当可观的水平,同时计划在今年年底推出176层QLCNAND。
  
  三星电子已进入176层V-NAND的客户验证阶段,并已启动200层以上3DNAND的开发。另外,铠侠和西部数据也将在2022年开始量产QLCNAND。
 
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