台媒：芯片制造商拟提高QL NND产量[] 来源: | 发布时间:1632114232 | 浏览次数： 据业内消息人士透露，由于个人电脑（PC）和数据中心的需求强劲，全球主要的NAND闪存供应商准备在今年年底至2022年之间提高QLCNAND产量。 　　 　　digitimes报道指出，消息人士称，随着OEM越来越多地在其产品中采用QLCSSD，芯片供应商将增加用于PC的QLCNAND产量。与此同时，数据中心应用的QLCNAND需求前景广阔，这也鼓励了主要芯片供应商加强在该领域的部署。 　　 　　从各大厂商的动作来看，英特尔已经推出了面向企业存储应用的144层QLC固态硬盘系列产品，并于今年上半年开始面向数据中心应用出货。英特尔采用浮栅技术制造的QLCNAND依然是该领域的领导者。 　　 　　美光已将其176层TLCNAND的生产良率提高到相当可观的水平，同时计划在今年年底推出176层QLCNAND。 　　 　　三星电子已进入176层V-NAND的客户验证阶段，并已启动200层以上3DNAND的开发。另外，铠侠和西部数据也将在2022年开始量产QLCNAND。

上一篇：美国30%税率T政策或延长10年！独立储能信贷和P  下一篇：英特尔服务器芯片降价，感谢MD？[]