SIC单晶炉是针对碳化硅单晶生长专用工艺设备，也可用于氮化铝的单品生长工艺。
SIC单晶炉设备特点：
设备采用高频电源感应加热、水冷感应线圈，水冷箱及高温密封，并具备对生长室内的高真空度进行检测、温度的精确测量、加热过程的程序化控制，石墨坩埚与感应加热线圈之间相对位置的调节以及Ar等多种气体的定量定压供给等功能，使设备在冷却、隔热和抗电磁辐射等方面有着非常好的效果；
设备为晶体生长提供一个理想的工艺环境条件，保证SiC晶体的稳定生长；
设备可以有效的避免加热装置对晶体的污染，同时也相对增加了工作空间。
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