高压VGF单晶炉是制备II一VI族和III一V族化合物半导体材料的关键设备。主要应用于半导体磷化铟(nP) 、磷化镓(GaP)等材料的单晶生长。
高压VGF单晶炉设备特点：
高压炉体采用无缝碳钢钢管制造，品牌压力容器资质厂家设计生产，可承受5倍工艺压力，并有减压阀，在超过6MPa时自动降压，降压口气体做隔氧处理。
炉体底部有水冷降温结构，可以增强坩埚支撑结构的导热，利于晶体生长。
炉体设备有吸震机构，可以有效把电阻丝通大电流时的震动有效减除，有利于层错能弱的晶体生长。
炉体支架装有手动调节系统，方便装取料时对炉体的调节。
增压系统采用进口增压泵、压力平衡控制系统、氮气瓶组成。精度高，反应灵敏，可编程工艺增压与减压。并设有压力极限报警。
高精度温度控制系统，提升工艺成品率。
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