| 第三代半导体迎来“大杀器”：应用材料全新设 |
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《科创板日报》（上海，研究员郑远方）讯，以硅为代表的“传统”半导体的工艺极限渐近，后摩尔时代技术已开始崭露头角，其中第三代半导体更是各方竞相角逐的重点领域。
半导体设备龙头应用材料（AppliedMaterial）9日推出新产品MirraDurumCMP系统及VIISta9003D热离子植入系统，帮助SiC（碳化硅）芯片生产从6寸晶圆升级至8寸晶圆，由此每片晶圆可用制造面积几乎扩大一倍，产能近乎倍增。
据悉，CMP新系统集成抛光、材料去除测量、清洁和干燥，可精确移除晶圆上碳化矽材料，最大化芯片效能、可靠性和产能；而后者可在对晶格结构破坏最小的情况下注入离子，进而最大化发电量和元件产能。
产能翻倍有多重要？眼下全球SiC晶圆年产能约在40-60万片，远不能满足下游需求，供给端成为SiC关键制约因素之一，技术优势带来的稳定产能将是厂商的重要竞争力。
衬底便是与产能密切相关的一个部分。目前，化合物半导体大多是基于SiC衬底进行外延生长。6寸SiC晶圆衬底是全球主流，已实现大规模商业化，而8寸则是“努力的方向”，分析师指出，升级至8寸衬底至关重要，其有助于提高产线通用性、扩大产能、降本效应有望显现。
行业扩张加速群雄纷争第三代半导体
“一直以来，芯片厂商都在携手共进，打造SiC市场，但如今竞争的号角已经吹响。”这是来自第三代半导体领跑者之一——罗姆的感叹。
近年来，第三代半导体玩家名单越拉越长，这个领域俨然已成为产业端、投资界、各地政府的“宠儿”。
“老玩家”如罗姆率先扩产，近日已在日本福冈开工建新厂，力图将产能提高5倍向上，更是放出豪言，要在2025年占据30%全球SiC芯片市场份额。除此之外，还有厂商试图通过合作、吞并实现版图扩张，例如Cree与意法半导体扩大SiC供应协议，金额超过8亿美元。
“新晋者”中，安森美以4.15亿美元收购SiC厂商GTAT；联电、鸿海则分别通过携手封测厂、收购晶圆厂，切入第三代半导体。
除了半导体厂商的大动作之外，第三代半导体发展的另一大催化剂便是新能源汽车。龙头特斯拉一马当先，其Model3车型搭载了以24个SiC-MOSFET为功率模块的逆变器；比亚迪、蔚来、吉利也紧随其后开始布局。中泰证券认为，2021年汽车领域SiC有望进入放量元年。
再看回国内，SiC逐渐掀起投资热潮，更有望纳入“十四五”，获得政策加持。据8月24日工信部答复，碳化硅复合材料、碳基复合材料等将被纳入“十四五”产业科技创新相关发展规划。
另一方面，近3年来，SiC项目已落地17个省份，遍布全国各地的足迹与传统硅基产线分布截然不同；而政府投资项目达32个，计划投资金额超过700亿元。
具体到产业链厂商，国内已涌现出一批后起之秀，发展迅速，其中：
三安光电第三代半导体衬底年产能规划约3.6万片；露笑科技预计，9月底SiC项目一期可小批量出货；北方华创、华润微、闻泰科技、扬杰科技等已相继入局。
此外，SiC衬底厂商天岳先进科创板IPO已于9月9日成功过会；同光晶体10万片SiC项目已于上周投产，公司还计划一年内科创板上市；天科合达也处于上市申报阶段。 |
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