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各地“十四五”集成电路产业发展规划和产业规
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石家庄市
  
  2021年4月23日,石家庄发布《关于新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的实施意见》的通知。《实施意见》提出,培育集成电路上市企业3家以上,并形成以集成电路专用材料、集成电路设计、集成电路加工制作、集成电路封装测试为核心的较为完备的产业链。
  
  培育集成电路基础材料优势提升工程:扩大氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)晶圆加工能力,提升4英寸/6英寸碳化硅外延、8-12英寸硅外延材料品质,加快6英寸碳化硅外延、氮化镓外延、12英寸硅外延以及高性能陶瓷封装材料量产化进程。
  
  培育专用集成电路设计与制造发展工程:提升微波集成电路、射频集成电路、超大规模SoC芯片、微机电系统(MEMS)器件、光电模块、第三代北斗导航高精度芯片、射频识别(RFID)芯片等设计水平,推进芯片设计与制造一体化发展;实施5G通信基站用射频前端套片及模块重点项目,建设特色集成电路生产线,推动射频前端芯片、滤波器芯片等实现产业化。支持开展功率半导体器件与功率集成芯片产品研发及产业化。
  
  河南省(简称:豫)
  
  《河南省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,推进数字产业化发展,推动智能传感器、射频卡、嵌入式芯片、传感网络设备等物联网产品升级和体系拓展,做优车联网、医疗物联网、家居物联网等产业,协同发展云服务与边缘计算服务,构建物联网全产业链。
  
  黑龙江省(简称:黑)
  
  《黑龙江省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,建设好一批质量高、拉动能力强的重大项目,其中包括万鑫石墨谷、第三代半导体材料碳化硅衬底材料及生产装备等项目。
  
  湖北省(简称:鄂)
  
  2019年湖北发布《关于推进全省十大重点产业高质量发展的意见》。湖北省将依托国家存储器基地,重点发展存储芯片、光通信芯片和卫星导航芯片,努力形成以芯片设计为引领、芯片制造为核心、封装测试与材料为配套的较为完整的集成电路产业链。
  
  《湖北省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,集中力量和资源推进国家存储器基地建设,加快实现技术赶超和规模提升,建成全国先进存储“产业航母”。加快发展物联网芯片、北斗芯片等,补齐封装测试短板,完善产业创新体系和发展生态,打造全球知名的集成电路产业基地;打好关键核心技术攻坚战,探索形成社会主义市场经济条件下新型举国体制湖北路径。实施关键核心技术攻关工程,围绕三维存储芯片、硅光芯片、新型显示材料、高端医学影像设备等重点领域,加强产业链上下游协同,推动“临门一脚”关键技术产业化,实现率先突破;打造具有国际竞争力的产业集群,推进集成电路、新型显示器件、下一代信息网络、生物医药等国家战略性新兴产业集群建设,着力培育具有国际竞争力的万亿级光电子信息、大健康产业集群。构建“光芯屏端网”纵向链合、横向协同的发展机制,突出“光”特色,做强“芯”核心,做大“屏”规模,强化“端”带动,优化“网”生态,发挥重大项目支撑引领作用,推动建立以武汉为核心,沿江城市分工协作的产业布局。
  
  2021年7月,湖北发布《中共湖北省委、湖北省人民政府关于新时代推动湖北高质量发展加快建成中部地区崛起重要战略支点的实施意见》。《实施意见》提出,坚持战略性新兴产业引领,实施战略性新兴产业倍增计划,着力打造以“光芯屏端网”为重点的新一代信息技术和;培育壮大集成电路、光通信及激光、新型显示、智能终端、信息网络、软件及信息服务、人工智能、电子信息材料、生物医药及医疗器械、数字创意等10个千亿级特色产业集群。
  
  武汉市
  
  2019年,武汉发布《武汉市人民政府关于推进重点产业高质量发展的意见》。《意见》提出,武汉将依托国家存储器基地,重点发展存储芯片、光通信芯片和卫星导航芯片,形成以芯片设计为引领、芯片制造为核心、封装测试为配套的较为完整的集成电路产业链。
  
  《武汉市国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》提出,围绕国家战略性新兴产业发展领域和方向,集中力量发展集成电路、新型显示器件、下一代信息网络、生物医药四大国家级战略性新兴产业集群。发展“光芯屏端网”新一代信息技术。聚焦光电子、硅光及第三代化合物半导体芯片、5G通信与人机交互、虚拟现实、智能终端、信息网络等,打造“光芯屏端网”万亿产业集群。到2025年,“光芯屏端网”产值5000亿元。
  
  湖南省(简称:湘)
  
  2020年2月,湖南省发布的《湖南省数字经济发展规划(2020-2025年)》提出,形成以设计业为龙头、特色制造业为核心、装备及材料等配套产业为支撑的发展格局,成为全国功率器件中心、第三代半导体重要基地、集成电路设计和装备特色集聚区。
  
  发展壮大电子信息制造业。抢抓信息技术应用创新发展重大机遇,放大特色优势,强化核心基础零部件(元器件)、先进基础工艺、关键基础材料和产业技术基础发展能力,加快打造成为享有盛誉的国家级产业集群。面向高端设计、特色工艺制造、先进封测、关键设备和材料等领域,推进集成电路产业发展。建设国家功率半导体制造业创新中心等创新平台,推动关键共性技术突破。
  
  着力突破关键核心技术。围绕集成电路等行业,重点突破宽禁带半导体、CPU、GPU、DSP、SSD等技术,发展面向通用芯片、专用芯片等领域的高端定制设计、研发、生产服务能力。
  
  集成电路产业成长工程:提升集成电路设计业,力争在CPU、GPU、DSP、SSD、4K/8K、5G等高端芯片产业化上实现突破。壮大集成电路关键设备,发展离子注入机等集成电路装备,研发光刻机、刻蚀机等关键设备技术,提升集成电路国产化装备和成套建设能力和水平。布局新一代半导体产业,推动IGBT、第三代半导体等重大项目,构建完善产品链,促进氮化镓和碳化硅器件制造技术开发,发展器件级、晶圆级封装和系统级测试技术,提升工艺技术水平,加快实现规模化生产能力。推进功率半导体器件创新中心等创新平台建设,探索行业共性关键技术联合攻关和产业化路径。
  
  《湖南省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,推进半导体关键核心成套设备研发和产业化,加快6英寸碳化硅材料及芯片、中低压功率半导体等产业化发展,建成全国最大碳化硅全产业链生产基地,创建国家级半导体装备制造区域中心。
  
  株洲市
  
  《株洲市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,大力发展大功率半导体器件产业链。重点发展硅基IGBT为主要特征的第三代半导体,推动IGBT器件在风电、太阳能发电、工业传动、通用高压变频器、电力市场等领域的应用。
  
  《规划纲要》提出,关键核心技术攻关清单,IGBT大功率器件领域:重点突破硅基IGBT技术瓶颈,重点发展8英寸汽车级IGBT变频控制技术,推进SiC、GaN等宽禁带为主要特征的第三代半导体的研发;发展芯片制造设备、检验监测设备等关键设备,发展低压IGBT芯片、新能源车用IGBT模块等,发展精细沟槽栅IGBT和宽禁带SiC半导体芯片和器件,重点发展8英寸汽车级IGBT电控系统基础器件;发展芯片单晶硅材料、基板材料等基础材料。
  
  吉林省(简称:吉)
  
  《吉林省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,建设集成光电子学国家重点实验室:主要研究高速及特殊应用光电子集成器件、硅基光子学及光子器件集成、光电器件物理及微纳集成新工艺、微纳光电子与光电集成芯片、光电集成新材料和新器件等领域。
  
  《规划纲要》提出,前沿领域科技攻关项目:极紫外光刻光学关键技术研究项目(研究极小像差反射式光学设计协同设计、精密光机结构、深亚纳米光学加工与检测以及极紫外多层膜技术,开展六镜极紫外光刻物镜研发与验证项目中元件面形检测研究)和高功率高光束质量激光芯片创新研究项目(完善高功率半导体激光器的材料-器件-系统-应用的全技术研究链条,突破高功率偏振稳定VCSEL芯片和高功率、小体积、高光束质量中红外激光技术等技术)。
  
  江苏省(简称:苏)
  
  《江苏省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,全面增强芯片、关键材料、核心部件、工业软件等中间品创新能力,带动内循环加快升级。聚焦重点产业集群和标志性产业链,瞄准高端装备制造、集成电路、生物医药、人工智能、移动通信、航空航天、软件、新材料、新能源等重点领域,组织实施关键核心技术攻关工程,力争形成一批具有自主知识产权的原创性标志性技术成果,加快改变关键核心技术受制于人的被动局面。
  
  南京市
  
  2020年4月,南京市发布的《南京市数字经济发展三年行动计划(2020—2022年)》指出,重点攻关第三代半导体材料、功率半导体以及国产EDA工具,高水平建设国家集成电路设计服务产业创新中心,重点发展面向工业互联网、人工智能、5G、汽车电子、物联网等领域高端芯片设计、晶圆制造、专用前沿材料及设备。
  
  2019年发布的《南京市打造集成电路产业地标行动计划》提出,力争到2020年,南京全市拥有销售收入超100亿元的集成电路生产类龙头企业1-2家,产业人才整体规模达3万人以上,集成电路设计、制造、封测等关键环节核心技术达到国内领先水平,初步建成国内著名的千亿级集成电路产业基地。到2025年,集成电路产业综合销售收入力争达1500亿元,进入国内第一方阵,实现“全省第一、全国第三、全球有影响力”的产业地标。
  
  南京江北新区
  
  《南京江北新区“十四五”发展规划》提出,打造集成电路产业集群。
  
  1、突破“卡脖子”关键核心技术。大力发展安全可控的高端芯片设计,支持创建国家集成电路设计服务产业创新中心和国家集成电路设计自动化技术创新中心,高水平建设中国EDA(电子设计自动化)创新中心,加速国产EDA工具和知识产权核商业化进程。深耕智能汽车芯片、物联网芯片、人工智能芯片、信息通讯芯片、光电芯片等重点领域,围绕先进晶圆制造及封测、前沿材料研制、高端设备制造等关键环节,加快突破三维堆叠封装、晶圆级封装、第三代半导体材料、功率半导体等核心技术。
  
  2、构建具有根植性的产业生态网络。大力培育产业链“链主”企业,招引具有核心竞争力的骨干企业,打造具有地标特色的集成电路产业集群。强化集成电路设计、软件开发、系统集成、内容与服务协同创新,打造涵盖芯片、软件、整机、系统、信息服务的产业生态。突出“应用牵引”“芯机联动”,拓展集成电路创新产品市场化应用,构筑整机带动芯片技术进步、芯片支撑整机竞争力提升的生态闭环。放大产业带动效应,加大人工智能、新一代通信、汽车半导体、智能制造、卫星导航等领域专用集成电路开发力度,吸引带动上下游企业落户。
  
  3、打造全链条式产业服务体系。深化南京集成电路产业服务中心建设,加快人才资源、开放创新、公共技术、产业促进等特色服务平台功能升级,完善EDA工具、测试与验证、多项目晶圆、材料和器件分析、知识产权核库等专业化公共服务平台体系,打造全国集成电路公共服务平台标杆。深化南京集成电路培训基地建设,完善产学融合、学学协同、学科交*的集成电路产业人才培养机制。持续办好世界半导体大会、集成电路系列赛事等重大行业活动,推动重大活动品牌化、市场化、平台化发展。引导国内顶尖的专业咨询和研究机构在新区开展专业化服务。进一步完善集成电路产业支持政策体系。
  
  江宁开发区
  
  江宁开发区正加快打造以第三代半导体为发展特色、以高端设计为未来发展方向的集成电路产业。
  
  第三代半导体领域以龙头企业中国电子科技集团第五十五研究所为引领,主要从事射频电子、功率电子两大板块产品的研发和生产;高端设计领域集聚了台积电设计服务中心、钜泉光电总部及MCU研发中心、航天龙梦总部及国产芯片研发中心等重点项目;在重点科研平台方面拥有毫米波及射频电子国家重点实验室、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室、砷化镓微波毫米波单片集成电路和多芯片模块国家级重点实验室等。
  
  无锡市
  
  2020年2月无锡发布《关于加快推进数字经济高质量发展的实施意见》指出要巩固数字经济关键优势产业。提升集成电路产业能级。推动物联网、智能网联汽车、5G通信、高端功率器件等领域的芯片研发,做大做强设计主业,支持晶圆制造的扩产与技术改造,支持封装测试业优势企业整合增效、技术升级。
  
  《无锡市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,提升集成电路全产业链发展水平,优化无锡国家“芯火”双创基地等载体平台,推动一批产业链重大项目建设,形成以新吴区制造设计、滨湖区设计、江阴市封装测试、宜兴市材料、锡山区装备等集成电路产业链分工协作体系。高标准建设江苏集成电路应用技术创新中心,着重开展设计、加工、制造、封装、测试分析、新材料开发等关键共性技术联合攻关,打造微纳加工与测试表征实验室。重点突破高端通用芯片和专用芯片、基础软件和工业软件、控制系统、核心材料等领域的“卡脖子”问题,积极开展6G技术预研,前瞻性部署石墨烯、区块链、量子技术、深海极地、星际网络、北斗、氢能及氢能源汽车、化合物半导体等未来前沿技术研发,支持企事业单位先行示范应用。
  
  无锡高新区
  
  《无锡高新区(新吴区)现代产业“十四五”发展规划》指出,集成电路产业,无锡高新区将着眼提升集成电路全产业链发展水平,重点发展高端芯片设计、集成电路核心设备及关键零部件,支持发展芯片制造和封测业,高水平推进国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心、无锡国家“芯火”双创基地等重大平台建设,加快打造世界级集成电路产业集群。
  
  《发展规划》指出,第三代半导体产业,无锡高新区将以市场应用为牵引,面向以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料应用领域,贯穿产业研究、标准检测、新产品开发、晶圆生产、封装应用、衬底材料技术、装备制造等全产业链,促进技术研发应用,2025年产业规模突破50亿元。
  
  江阴市
  
  《江阴市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,攻关集成电路产业集群。依托江阴集成电路设计创新中心,持续深化与中科院微电子研究所合作,强化集成电路设计、软件开发、封装测试、系统集成的协同创新,加快核心芯片的设计、开发和产业化。依托长电科技、长电先进、星科金朋等龙头企业,打造全球领先的高端封装测试基地。聚焦先进材料和终端产品,纵深挖掘市场前景好、应用范围广的光刻胶、感光油墨等特色细分领域,全面融入长三角集成电路产业链条。
  
  宜兴市
  
  《江阴市省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,大力发展集成电路产业。推进锡宜集成电路产业协同,聚焦集成电路材料和装备,主攻集成电路硅片、电子气体、光刻胶及配套试剂、先进封装材料等领域,引进上下游配套企业,打造无锡集成电路产业重要基地。
  
  2018年宜兴市发布《集成电路材料产业规划》,预计到2025年,宜兴市集成电路材料产业将形成300亿规模相关产业。
  
  宜兴市集成电路材料产业发展将以集成电路硅片、化学机械抛光配套材料、高纯化学试剂、电子气体、光刻胶及配套试剂、掩膜版、化合物半导体材料及器件、先进封装材料为主。
  
  苏州市
  
  《苏州市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,打造半导体和集成电路产业链。发展集成电路设计、特色集成电路制造,高端集成电路封测,关键设备和材料。
  
  《规划纲要》提出,发展车用芯片、安全芯片、网络芯片、高端数模芯片、硅光芯片等集成电路设计、化合物半导体、MEMS智能传感。
  
  2021年1月,苏州发布的《苏州市推进数字经济和数字化发展三年行动计划(2021—2023年)》提出,集成电路产业要聚焦集成电路制造业,着力布局GaN、GaAs、MEMS等特色工艺制造产线,稳固封测领域领先优势,加快芯片设计和产业化,做优集成电路配套,补齐产业发展短板。针对5G产业,要围绕芯片、射频器件、光器件和光通信设备等优势产业发力,培育龙头企业,基本建立各细分领域相对完整的产业链集群。
  
  昆山市
  
  2017年发布的《昆山市集成电路产业发展规划(2017-2021)》提出昆山要打造国内封装测试产业重镇、面向应用的集成电路设计产业新高地、长三角地区半导体设备研发中心,并建立二手半导体设备交易集散地,
  
  目前昆山已初步形成了“设计-制造-封装测试-材料及配套设备”的完整半导体产业链。
  
  徐州市
  
  《徐州市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,做特集成电路与ICT产业集群。主攻集成电路材料装备、第三代半导
  
  体材料器件、先进封测等领域,形成“材料-装备-设计-制造-封测”产业链,建设徐州经开区、邳州经开区半导体材料与装备基地,打造全球领先的半导体大硅片制造基地和国内集成电路材料、装备产业高地。
  
  常州市
  
  常州市的储存电路布局主要位于武进区。
  
  武进区
  
  2021年2月发布的《武进区集成电路产业链跃升发展实施方案(2021-2023)》提出,坚持以推动集成电路产业链跃升发展为主题,以化合物半导体为主要切入口,大力建设集研发、设计、制造、应用全流程的集成电路产业链,围绕建链、补链、强链,加大龙头企业培育和重大项目招引力度,着力打造“滨湖高地武进芯谷”。加强产业顶层设计,聚焦砷化镓等第二代化合物半导体以及碳化硅、氮化镓等第三代化合物半导体细分产业发展,优化产业发展环境,构建良好产业生态,加强基础设施配套,实现产业良性有序发展,力争用较短的时间搭建产业链框架,培育形成在全省乃至全国具有竞争力的化合物半导体特色优势产业链。建立完善产业配套。打造集设计、制造、封装于一体的地区产业链IDM模式,支持集成电路产业链上下游协同发力,鼓励集成电路产业和地区主导优势产业协同合作,实现本地化配套和本地化应用,形成多产业链相互促进的全产业链发展态势,实现超常规的跨越式发展模式。
  
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  江西省(简称:赣)
  
  《江西省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,加快推动数字产业化。作为数字产业化的核心,集成电路产业要立足前端材料、后端市场等基础,以移动智能终端、可穿戴设备、半导体照明等应用芯片研发设计为切入点,做实产用对接,培育设计、制造、封装、应用产业链,打造全国具有影响力的集成电路产业集群。
  
  《推规划纲要》提出“集成电路产业培育工程”,以南昌、吉安、赣州等地为重点,加快打造集成电路产业集聚区。加大集成电路研发投入,精准引进集成电路先进工艺生产线及行业龙头企业,提升本地芯片设计、封测等能力。
  
  南昌市
  
  南昌县(小蓝经开区)
  
  2021年3月,南昌县(小蓝经开区)发布的《半导体及集成电路产业发展三年行动计划(2021-2023)》提出,将以封装测试快速切入、以化合物半导体形成突破、以器件模组生产带动增长、以设备、材料、设计作为补充。力争到2023年,南昌县(小蓝经开区)落户半导体企业达50家(其中上市公司5家),形成“封测业支撑、制造业提升、设计业补充、材料装备等配套产业基本健全”的完整半导体产业链,形成初具规模的产业集聚。
  
  赣州市
  
  2020年10月,的《关于新时代支持赣南等原中央苏区新一轮产业高质量发展的若干措施》提出,做大做强电子信息产业,在京九(江西)电子信息产业带建设规划框架下,支持发展集成电路产业,培育引进特种芯片和半导体材料等企业。
  
  近年来,赣州市大力发展电子信息产业,着力建设对接融入粤港澳大湾区重要的电子信息产业集聚地,聚焦新型电子材料、新型显示、芯片设计和封装测试、汽车电子产业链条,加速延链补链强链。
  
  辽宁省(简称:辽)
  
  《辽宁省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,做大做强集成电路产业。推动集成电路全产业链发展,加快沈阳集成电路装备高新技术产业化基地、大连集成电路设计产业基地、朝阳半导体新材料研发生产基地、盘锦光电产业基地、锦州电子信息产业园等建设。做强集成电路装备及关键零部件等优势产业,提高集成电路特色材料配套能力。围绕嵌入式CPU、工业自动化、汽车电子等领域,强化集成电路设计、软件开发、系统集成、内容与服务协同创新。
  
  沈阳市
  
  《沈阳市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,强做优制造业,推进IC装备零部件产业基地、半导体薄膜设备产业化基地建设,建成国内领先的IC整机设备产业化基地和全球集成电路装备零部件及系统配套集聚地。
  
  支持IC装备企业研发填补国内空白的产品,发展以涂胶显影、薄膜沉积设备为核心的IC整机装备。突破IC装备关键技术工艺,推动集成电路核心零部件表面处理效能提升,加快科技成果转移转化,加快推动真空干泵等一批重大研发和产业化项目建设。发挥IC装备产业联盟优势,广泛吸引上游零部件企业和研发机构落户。
  
  开展集成电路控制系统、涂胶显影设备、3DNAND和DRAM存储器薄膜沉积设备等技术攻关。研制28nm集成电路前道单片式清洗设备和大行程连杆型真空机械手产品,突破苛刻工艺用DP系列真空干泵等关键技术和工艺,完善和发展“控制系统+重要整机装备+关键单元部件+先进材料”的IC产业创新链。
  
  关键核心技术:3D先进存储薄膜堆叠层关键技术、ALDHigh-k、MetalGate等沉积工艺、集成电路10nm以下制程PE-ALD关键技术及设备研制、集成电路前道高产能深紫外光刻工艺匀胶显影设备关键技术、65nm光刻工艺匀胶显影设备研制、苛刻工艺用真空干泵关键技术攻关及产业化。
  
  大连市
  
  《大连市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,重点依托高新区、金普新区,重点发展集成电路、新型元器件、人工智能等信息技术产业。
  
  《规划纲要》提出建设集成电路产业链:构建以集成电路设计为龙头,集成电路制造和封测为核心、关键设备和材料为支撑的具有大连特色的产业集群,成为国内技术水平先进、产业特色明显、配套功能齐全、人才资源丰富、带动作用较强的集成电路产业新高地。
  
  《规划纲要》强调集成电路产业“强芯”工程:打造以先进非易失性存储器为核心的集成电路制造基地。面向高端智能视觉芯片、工业控制芯片、传感器芯片、信息安全芯片、汽车电子芯片等领域,引进集成电路制造项目。
  
  2020年《大连市促进数字经济发展行动方案》提出,做大做强集成电路产业,打造集成电路完整产业链。
  
  金普新区
  
  《金普新区促进集成电路产业发展实施方案》提出,到2020年,推动英特尔三期开工建设,以英特尔为龙头,大力发展集成电路芯片制造业;力争再引进一家新的集成电路芯片制造生产企业,使新区集成电路芯片制造业更开放、更多元。到2023年,紧紧围绕英特尔,争取三期项目竣工投产和研发中心落地,全力引进国内外各大封装、测试项目落户新区,推动相关配套产业发展,实现金普新区芯片制造、封测一体化发展。到2028年,形成产业链完整、国内技术水平先进、配套功能齐全、人才供给充足、产业发展均衡的集成电路产业集群。
  
  (1)着力发展集成电路设计产业。依托省级集成电路设计产业化基地的天然条件和良好基础,逐步引导集成电路设计产业由高新园区向新区拓展。引进和培育具有国内外竞争力的集成电路设计骨干企业,围绕高端装备、智能汽车、5G通信等重点领域应用市场需求,重点发展高端装备关键芯片、汽车电子关键芯片、无线射频通信芯片、模拟和功率集成电路芯片的设计产业。鼓励推动集成电路设计企业为本地智能装备制造产业升级等方面提供配套,带动软件、制造业、服务业协同发展。
  
  (2)壮大集成电路制造产业规模。继续发挥英特尔项目影响力,支持其技术升级和产能扩充,积极推动其三期项目建设、竣工、投产;广泛开展国际交流合作,适时引进和建设新的芯片制造生产线,争取引进集成电路代工企业来新区建厂。多渠道吸引投资,布局建设8英寸及以下、模拟及数模混合电路、微机电系统(MEMS)器件、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等特色工艺生产线,发展功率器件、射频器件以及5G无线通信芯片等集成电路产品。增强芯片制造综合能力,以工艺能力提升带动设计水平提升,以生产线建设带动关键装备和材料配套发展。着眼长远发展光通信器件、光照明器件产业,培育新的增长点。
  
  (3)重点培育集成电路封装、测试产业。抓住英特尔非易失性存储器大规模扩产的有利时机,通过英特尔公司和本地政策激励方式,引进建设一条为英特尔项目配套的封测生产线;在此基础上,积极以国内外知名集成电路封装、测试企业为招商重点,争取在新区建设集成电路新型封装技术生产线或功率器件等集成电路特色工艺产品封测生产线,重点发展晶圆级封装、倒装封装、三维封装、基板封装等先进技术的研发和产业化,填补集成电路产业链空白,推动相关配套产业发展,实现新区芯片制造、封测一体化发展。
  
  (4)逐步发展设备材料产业。结合装备制造业转型升级和发展智能制造等举措,鼓励和支持本地装备制造业企业进入半导体设备领域,重点发展可应用于本地集成电路制造企业的蚀刻机、清洗机、气体纯化设备、检测仪器等半导体关键装备;加快本地设备开发及产业化等项目建设,有选择的引进国内外半导体设备厂商来新区发展。在集成电路关键材料领域,发挥新区在气体材料方面的基础和优势,支持科利德等企业发展,巩固和扩大集成电路专用气体工业版图。
  
  内蒙古自治区(简称:内蒙古)
  
  《内蒙古自治区国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,加快发展新材料产业,适度在呼和浩特、包头等地区布局多晶硅、单晶硅及配套延伸加工产业,鼓励发展电子级晶硅,建设我国重要的光伏材料生产基地。发展高品质蓝宝石晶体及切片、LED蓝宝石衬底等系列产品,扩大蓝宝石在智能终端、航空航天、半导体等领域的应用。
  
  宁夏回族自治区(简称:宁)
  
  《宁夏回族自治区国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,加快推动数字产业化,打造西部电子信息产业高地。推动电子信息产业加速发展、推进半导体材料、锂离子电池、半导体照明等产业集成化、高端化发展,加快电子测量仪器、电子专用仪表、电子监测仪器等产品研发与产业化。
  
  青海省(简称:青)
  
  《青海省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,建设科技创新工程,研究推进盐湖资源综合开发利用、干热岩综合开发利用、高原医学、集成电路硅材料等实验室和工程研究中心建设。
  
  山东省(简称:鲁)
  
  《山东省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,大力发展集成电路产业,引进行业龙头企业,依托青岛芯谷国家集成电路设计高新技术产业基地、山东信通院集成电路设计公共服务平台,推进嵌入式CPU、存储器、智能计算芯片等集成电路研发设计和产业化。
  
  2021年5月,山东省工信厅草拟《山东省“十四五”工业和信息化发展规划(征求意见稿)》,并公开征求意见。《规划》指出,山东将以重大技术突破和重大发展需求为基础,集中力量发展新一代信息技术、高端装备、新材料等新兴产业。
  
  集成电路产业,山东将重点开发电子设计自动化工具(EDA)、高端存储芯片、数字音视频处理芯片、热成像芯片、现场可编程门阵列芯片(FPGA)、信息安全和激光芯片等产品,支持光刻胶、大硅片、高纯靶材等关键材料研发应用,发展绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、微机电系统(MEMS)等特色工艺,加快实施CPU等核心器件的国产化适配替代。
  
  山东集成电路产业城市布局:济南重点围绕高性能集成电路、功率器件、智能传感器、第三代半导体等细分领域,完善材料、设计、制造、封测等产业环节,壮大产业规模。青岛重点发展专用芯片设计、晶圆制造、系统级封装等产业。烟台重点发展键合丝、封装基板、MEMS传感器、半导体化学材料、红外探测器产品设计、特色半导体封测等产业。淄博重点发展MEMS传感器、晶圆级封装、引线框架材料、第三代半导体等产品。潍坊、威海、日照重点发展智能传感器、功率半导体封测、光刻胶等产业。德州重点发展集成电路用硅片生产。济宁重点发展半导体分立器件、功率器件及功能芯片、第三代半导体。滨州重点发展半导体分立器件生产和制造。枣庄重点发展硅基辐射探测器芯片产品、高端磁性材料产品等。
  
  2021年7月发布的《山东省“十四五”数字强省建设规划》强调大力发展关键基础产业。
  
  集成电路:壮大集成电路设计、封测能力,支持集成电路产业基地建设,培育形成一批具备国际竞争力的IC设计企业,突破大规模集成电路生产能力;巩固扩大集成电路材料环节优势,强化集成电路用大尺寸硅片、金丝、硅铝丝、封装载带等材料产业的国内优势地位;合理部署大规模集成电路制造能力,填补制造环节短板;加快布局第三代半导体产业,打造第三代半导体产业高地。具体有:建设济南国家集成电路设计产业化基地、“青岛芯谷”集成电路产业基地,实施山东有研12英寸硅片制造、青岛惠科6英寸半导体项目等一批重点制造项目;支持济南等地布局第三代半导体产业集群,推进济南天岳碳化硅衬底材料项目等项目建设。
  
  基础电子元器件:大力发展面向智能终端、5G、工业互联网、高端装备等领域应用需求的核心基础电子元器件产业,支持发展新型显示器件、电路类元器件产业化,积极布局传感类元器件和光电子器件,加强核心光电子芯片技术研发突破,打造自主领先光电子产业体系。具体包括:支持发展新型显示器件,加快液晶面板、主动矩阵有机发光二极管面板及其模组、背光源、超薄玻璃基板等关键材料和器件研发产业化;支持发展电路类元器件,重点发展微型化、片式化阻容感元件,耐高温、耐高压、高可靠半导体分立器件及模块;积极布局传感类元器件,重点发展小型化、低功耗、集成化、高灵敏度的敏感元件;大力发展光电子器件,突破高速高精度激光器芯片、探测器芯片、硅基集成相干芯片等核心光电子技术,打造自主领先光电子产业体系,支持海信宽带等重点企业,推进高速800G光模块技术产业化。
  
  2018年10月山东发布《山东省新一代信息技术产业专项规划(2018—2022年)》。
  
  《专项规划》强调提升集成电路产业发展水平。按照“先两头(设计、封装测试)、后中间(制造)”的发展思路,巩固材料环节优势,壮大设计、封装测试环节,全力突破制造环节,打造集成电路“强芯”工程,形成集成电路材料、设计、制造、封装、应用的完整产业体系。面向物联网、云计算、工业控制、汽车电子、医疗电子、金融、智能交通等需求大的领域,推动设计企业与整机企业开展合作,重点开发EDA(电子设计自动化)工具、高端存储芯片、数字音视频处理芯片、热成像芯片、FPGA(现场可编程门阵列)芯片、信息安全和激光芯片等产品。依托济南、淄博等市产业基础,建成国内重要的IC卡芯片和MEMS(微机电系统)传感器封装测试基地。建设基于BGA(焊球阵列封装)技术的SIP(系统级封装)生产线,扩大中高端产品占比。积极引进高端集成电路制造企业,建设大规模集成电路晶圆生产线,填补制造环节短板,尽快形成较为完善的产业链。推动龙头企业做大做强,进一步强化集成电路用金丝、硅铝丝、封装载带等配套材料产业的国内优势地位。支持济南发展以碳化硅为代表的宽禁带半导体产业,建设宽禁带半导体小镇,打造全球领先的宽禁带半导体产业高地。
  
  《专项规划》提出打造集成电路产业集群。该集群将依托济南、青岛、淄博等城市,重点发展集成电路设计、晶圆制造、半导体硅片、IC卡芯片、视听芯片和智能传感器封装等领域,到2022年形成较完整的产业链,具备千亿级发展潜力,具有全国一流竞争实力。
  
  青岛市
  
  2019年发布的《数字青岛发展规划(2019-2022年)》提出,以先进模拟集成电路和半导体功率器件、光通信芯片及模块、MEMS传感器为主要方向,构建具有青岛特色的产业链生态,推动产业向价值链高端发展。推动崂山区青岛芯谷、即墨区青岛(芯园)半导体产业基地、西海岸新区中德生态园集成电路产业基地等集成电路产业园区建设,构建集成电路产业研发设计、制造、封装测试、终端产品生产和人才培养培训“五位一体”产业体系,打造青岛沿海集成电路产业带。围绕智能家电产业,推动配件、专用设备研发和产业化,建设国家新型工业化产业示范基地,支持集成电路、新型显示等产业与系统整机(终端)协同发展,补齐产业链核心基础环节。
  
  2020年5月,青岛市发布《市属企业加快布局“新基建”实现数字化智能化转型升级三年行动计划(2020—2022年)》。
  
  《行动计划》指出,以提升青岛市数字产业竞争力为目标,发挥国有资本投资运营公司平台功能,通过股权投资、基金投资等方式,前瞻布局5G产业链和5G融合专网、集成电路、人工智能、大数据中心、云计算、物联网等数字经济基础设施和核心产业。到2022年末,市属企业在5G产业链、集成电路、人工智能等领域投资布局一批战略性新兴数字产业重点项目,培育形成发展新动能。
  
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  山西省(简称:晋)
  
  山西省以太原、忻州为核心,以碳化硅、氮化镓第三代半导体等为重点,形成碳化硅、芯片设计、芯片制造等全产业链产品体系,打造太原、忻州半导体产业集群。
  
  《山西省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,加快半导体材料提质升级。以山西转型综合改革示范区为主平台建设研发创新策源地,打造一批半导体产业高端创新平台基地,前瞻谋划第四代半导体材料研发。围绕半导体材料、芯片及器件、半导体装备、光伏和LED等领域的前沿技术和产业化技术集中攻关,优化创新链布局。以高纯度、大尺寸、高均匀性、高性能、低成本、多功能和集成化为方向,研发新型电子材料及替代进口高端芯片等产品,做大做强砷化镓、碳化硅等第二/三代半导体衬底材料—芯片—封装—应用创新链条,积极建设国家半导体材料研发生产基地。
  
  2021年6月,山西发布《山西省“十四五”新装备规划》,提出在电子装备领域,山西将延伸发展半导体装备及下游终端产品。发展红蓝宝石晶体生长装备、平板显示导光板等半导体产品,重点发展砷化镓第二代半导体、碳化硅与氮化镓第三代半导体等产品生产及检测装备,提高半导体工艺及产品良品率。进一步延伸发展智能终端、集成电路、新型显示、智能传感器等电子产品,实现电子信息装备制造业智能化发展。积极引入上游装备制造以及下游器件设计、封装和应用企业,打造国际有影响力的第二代及三代半导体全产业链产业基地。
  
  陕西省(简称:陕,秦)
  
  《陕西省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,实施“卡脖子”领域关键技术攻关工程,启动高端集成电路与先进半导体器件专项。重点开展12英寸大尺寸硅片和大尺寸微电子级直拉硅单晶、FPGA芯片、无线通信用的核心集成电路IP核和芯片、新型显示用多光谱芯片、大容量存储器设计及测试、功率器件和IGBT模块封装攻关,以及第三代半导体所需的化合物半导体(碳化硅、氮化镓)设计与制造工艺研发。
  
  提升集成电路产业发展能级,突破前端材料制备及大尺寸晶圆设备产业化,持续扩大闪存芯片制造产业规模,提升功率器件高端化制造水平,争取逻辑代工生产线落地,巩固提升封装测试竞争优势。围绕高纯度氢氟酸、光刻胶等集成电路生产耗材,引进行业先进企业,提高集成电路本地配套率。
  
  西安市
  
  2019年4月,《西安市光电芯片(集成电路)产业发展规划(2018—2021年)》发布,西安明确半导体产业的核心地位,优先支持核心芯片设计业,推动制造业升级。产业规模:到2021年,西安集成电路产业产值突破1000亿元(提前完成,2020年西安集成电路产业产值高达1200亿元)。
  
  2019年10月,西安市集成电路产业集群列入第一批国家战略性新兴产业集群发展工程。
  
  2020年10月发布的《西安市现代产业布局规划》指出,大力发展集成电路、光电芯片、新材料等电子信息产业。
  
  集成电路:以三星存储项目为引领,构建存储芯片设计、制造、封装、测试完整产业链,建设世界一流高端芯片产业基地,在下一代新型存储器产业中保持世界领先水平。围绕三星电子存储芯片和封装测试项目抓好配套跟进,扩大美光、华天、力成等存储芯片制造及封装测试规模。依托西安克瑞斯、紫光国芯、西岳电子等企业,加快智能终端、网络通信、存储器、传感器、物联网、军工等专用芯片的设计与产业化,持续提升西安集成电路设计规模和水平。
  
  光电芯片:重点支持DFB/EML激光器、高折射率硅光集成芯片等光通信芯片发展,提升光通信芯片产业的聚集效应和规模效应,推进产业优化和升级。提前布局光子芯片,大力发展智能光子芯片领域的VCSEL芯片、激光雷达、3D识别技术等,带动生物医疗、量子信息、人工智能、安防检测、无人驾驶相关领域发展,布局下一个产业的风口。
  
  电子新材料:重点发展电子级硅材料、平板显示材料、电子浆料、OLED高纯有机材料和其他电子专用材料,形成液晶单体、液晶中间体等系列高端产品。重点突破碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代宽禁带半导体用新型电子材料关键技术。加强纳米材料技术研发,加快石墨烯低成本批量制备及纯化技术和透明电极手机触摸屏研发产业化。推进液晶材料、湿电子化学品、电子特种气体、封装材料、有机发光材料等电子化学品的产业化。
  
  四川省(简称:川,蜀)
  
  2019年3月四川发布《集成电路与新型显示产业培育方案》提出,将全力推动全省“一芯一屏”重点突破和整体提升视作助推我省电子信息产业结构升级和发展转型、支撑我省实现“中国制造”西部高地战略的关键之举。
  
  《培育方案》明确,集成电路将从重点发展集成电路设计业、特色发展集成电路制造业、着力发展集成电路封装测试业、配套发展集成电路材料和设备业四个方向发力。“两手抓”集成电路设计龙头企业规模化发展,一方面继续招大引强,加速吸引国内外2-3家全国前十的集成电路设计龙头企业落户;另一方面大力培育本土力量,积极引导和推动省内企业兼并重组,形成5-10家竞争力强、国内前列的集成电路设计企业。
  
  《四川省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,重点发展集成电路设计,提升人工智能、智能终端、物联网、通信、超高清视频、汽车电子等领域高端芯片设计竞争能力,发殿核心电子元器件和先进材料,建设以先进光刻光刻为核心的集成电路制造装备集群。
  
  四川相关部门编制了《四川省电子信息产业“十四五”高质量发展路径研究》《四川省“十四五”存储产业发展规划》《四川省传感器产业发展行动计划(2021-2023年)》,制定了全省集成电路产业高质量发展的政策措施。
  
  成都市
  
  《成都市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,打造世界集成电路重要基地。
  
  目前,成都,这座西南重镇也成为全国集成电路产业重要聚集区,基本形成了涵盖集成电路设计、制造、封测、设备及材料等环节的完整产业链。发展主要集聚在高新区。
  
  成都高新区
  
  成都高新区“十四五”集成电路产业初步规划,到2025年,全区设计业跻身国内第二方阵前列,超过杭州、西安;培育上市企业10家,实现营收超10亿设计企业零突破,争取培育2家超10亿元集成电路设计企业,打造国内领先集成电路设计高地和国家重要的集成电路产业基地。成都高新区占有成都集成电路产业规模的90%。
  
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  西藏自治区(简称:藏)
  
  无。
  
  新疆维吾尔自治区(简称:新)
  
  石河子市
  
  《石河子市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,硅基新材料重大工业项目,推进年产1000吨半导体级晶硅原料、电子专用材料单晶衬底1500锭、50吨半导体单晶原料洁净厂房及配电站、方芯硅用晶圆棒等项目建设。
  
  云南省(简称:滇)
  
  云南利用当地丰富的矿产资源和水电资源,积极发展新材料产业。如6英寸砷化镓单晶片、4英寸磷化铟单晶片以及电子级多晶硅。
  
  2021年2月云南省发布《云南省贯彻落实新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的任务清单》。《任务清单》是为贯彻落实《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》(国发〔2020〕8号)精神,进一步优化我省集成电路产业和软件产业发展环境,深化产业国际合作,提升产业创新能力和发展质量。
  
  2021年8月云南省工业和信息化厅就《云南省“十四五”信息产业发展规划(征求意见稿)》公开征求意见。《规划》提出着力打造“一核、一区、两群、多点”的产业发展新格局,助推新发展阶段全省信息产业实现高质量发展。重点发展多晶硅、单晶硅棒硅片生产,并逐渐从单一生产光伏硅产品向同时生产电子级硅产品发展,将半导体材料打造成为一个千亿级别的产业集群。
  
  浙江省(简称:浙)
  
  《浙江省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,聚焦集成电路等十大标志性产业链:突破第三代半导体芯片、专用设计软件(EDA)、专用设备与材料等材料、前瞻布局毫米波芯片、太赫兹芯片、云端一体芯片,打造国内重要的集成电路产业基地。
  
  2021年6月29日,浙江省发布的《浙江省数字经济发展“十四五”规划的通知》提出要做强基础产业。深入推进产业基础再造与产业链提升,提升数字安防、高端软件、网络通信、新型电子材料及元器件等产业竞争力,做大集成电路、智能计算、新型显示、智能光伏等产业,加快培育自主可控产业生态及信息技术应用创新产业。打造数字安防、高端软件、集成电路、网络通信、智能计算等5个千亿级标志性产业链和产业集群。
  
  集成电路作为基础产业发展重点方面,《规划》提出要增强芯片设计能力,加快第三代半导体技术突破,开发5G、汽车、数字安防、智能家居等专用芯片和边缘计算、存储器、处理器等通用芯片。发展模拟及数模混合芯片生产制造、高端封装测试、关键材料和核心设备。支持技术先进的IDM布局,推动12英寸晶圆生产线、6英寸以上化合物芯片生产线等建设。
  
  《规划》提出布局未来产业。积极发展量子通信,谋划发展量子精密传感测量、量子计算、量子芯片等产业。攻关类脑计算,加快类脑计算芯片、计算机和机器人产业化。发展柔性传感器、柔性射频电子标签、柔性显示器件、柔性电池等产业。加快下一代移动通信网络技术和标准研制。
  
  2021年7月2日,浙江省人民政府发布《浙江省全球先进制造业基地建设“十四五”规划》(浙政发〔2021〕20号)。
  
  《建设规划》提出重点发展新兴产业、新一代信息技术产业,聚焦数字安防、集成电路、网络通信、智能计算标志性产业链,打造国家重要的集成电路产业基地。
  
  《建设规划》提出新一代信息技术产业。聚焦数字安防、集成电路、网络通信、智能计算标志性产业链,大力发展智能安防终端、系统集成和行业服务平台,构建“云网端”一体化产业生态;构建较为完善的“芯片-软件-整机-系统-信息服务”产业链;巩固路由交换设备、网络通信器件、光纤光缆、通信终端等优势,补链发展射频器件及材料、5G设备和模块;做强存储器、数据库、服务器、中间件等关键产品。培育发展智能光电、网络安全、超高清视频显示等新兴产业。加快发展软件与信息服务、物联网系统与应用等产业。打造国家重要的集成电路产业基地、全球数字安防产业中心、信息技术自主创新基地。
  
  浙江省出台的《浙江省实施制造业产业基础再造和产业链提升工程行动方案(2020-2025年)》指出,到2025年,浙江省十大标志性产业链之一的集成电路产业链,要突破第三代半导体芯片、专用设计软件(电子设计自动化工具等)、专用设备与材料等技术,前瞻布局毫米波芯片、太赫兹芯片、云端一体芯片,打造国内重要的集成电路产业基地。形成以杭州、宁波、绍兴为核心,湖州、嘉兴、金华、衢州等地协同发展的产业布局。
  
  杭州市
  
  《杭州市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出打造包括集成电路在内的九大标志性产业链。
  
  集成电路方面要推进芯片、软件、智能终端协调联动,重点布局高端射频芯片、RISC-V开源平台、新一代光电芯片、人工智能及视觉处理芯片、信息安全类芯片、类脑计算芯片、存储器芯片和第三代半导体等领域,大力发展微机电系统(MEMS)技术和产品,推动电子设计自动化(EDA)软件、半导体核心设备和关键材料的自主攻关。到2025年,产值达到800亿元。
  
  宁波市
  
  《宁波市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出全力打造特色工艺集成电路产业链。重点发展离子注入机、涂胶显影设备、键合机等制造设备和硅片、高纯靶材、掩膜版、光刻胶等关键材料,加快发展光通信芯片、时钟芯片等功率器件,提升信号链产品及电源管理类产品等模拟芯片工艺和技术。
  
  2021年7月27日,宁波市发布《宁波市新材料产业集群发展规划(2021-2025)》。
  
  《发展规划》在做大做强五大领域方面,电子信息材料发展重点:
  
  (1)发展集成电路用大尺寸硅片及外延片,氮化镓、碳化硅、氧化锌等宽禁带第三代半导体材料,引线框架,键合铜丝、掩膜版等辅助材料,CMP抛光材料、DUV/EUV级光刻胶、电子特种气体、超高纯化学试剂、蚀刻液等电子化学品。
  
  (2)发展超高纯钛、铝、钽、铜等金属溅射靶材,保障大规模集成电路、半导体芯片、液晶显示、太阳能板等领域需要。
  
  (3)发展平板显示TFT液晶显示材料、OLED发光材料、TFT-LCD用偏光片材料,形成系列化产品。
  
  (4)发展LCP树脂、特种环氧树脂、PTFE树脂、热固性聚苯醚树脂、导电涂料、导电导热胶等原材料。
  
  (5)培育发展氧化镓、金刚石、氮化铝超宽禁带第四代半导体材料,锑化铟、锑化镓等超窄禁带半导体材料。
  
  空间布局:支持浙江余姚经济开发区、宁波经济技术开发区,打造电子信息材料产业集群。
  
  宁波将大力培育包括集成电路在内的战略性新兴产业,努力打造具有国际竞争力的特色工艺集成电路产业基地,推动第三代半导体技术和产业规模进入全国第一梯队。
  
  宁波杭州湾新区
  
  2020年发布的《宁波杭州湾新区集成电路产业规划》提出,新区集成电路产业发展定位为国内领先的功率半导体制造基地、集成电路先进封装测试产业高地、宽禁带半导体产业集中区、设备及零部件和材料生产物流中心、集成电路应用中心、高端汽车电子芯片示范中心等六大中心,并力争未来五年,新区集成电路企业超60家,集成电路关联产业产值达300亿元,从业人数集聚8000人,最终带动新区数字经济相关产业规模超过1000亿元.
  
  绍兴市
  
  2019年1月发布的《绍兴市数字经济五年倍增计划》提出,造大湾区集成电路“芯”高地。以打造集成电路“万亩千亿”级新产业平台为目标,将集成电路产业作为发展数字经济核心产业的突破口,聚焦集成电路设计—制造—封装—测试—设备及应用的全产业链,加快补链建链,致力谋规划、引项目、育企业、优生态,争取在重点领域取得实质性突破,在关键环节实现精准赶超。
  
  (1)实施集成电路制造跃升工程。以增强芯片制造综合能力为目标,依托中芯国际MEMS(微机电系统)生产线,拓展MEMS领域封装测试及模组制造,形成MEMS传感器领域较为完整的产业链条,向工业控制、汽车电子领域提升,基本建成国内微机电和功率集成系统制造中心。鼓励集成电路优势企业升级建设集成电路先进生产线,提升生产制造技术水平、扩大企业规模、壮大企业实力。到2022年,集成电路制造业产值突破200亿元。
  
  (2)实施集成电路设计提升工程。依托长三角地区应用市场,着力引进移动通信、物联网、高端装备、人工智能等智能控制芯片设计企业,鼓励现有集成电路设计企业围绕战略性新兴产业和重点领域的应用需求,开发量大面广的移动智能终端芯片、数字电视芯片、网络通信芯片、智能穿戴设备芯片及操作系统,支持集成电路企业以与高校研究院所合作共建研究中心的模式,扎实推进绍兴集成电路“万亩千亿”级平台创新综合体项目建设,着力构建“方案—芯片—模组—整机”的产业整合生态体系,打造面向智能应用的集成电路设计产业高地。到2022年,集成电路设计产业产值达到100亿元。
  
  (3)实施集成电路封装测试完善工程。以集成电路先进生产线建设为引领,以韦尔股份、豪威科技等重大项目为依托,重点聚焦晶圆级封装等先进技术,建立国内领先的先进封测生产线和封装技术研发中心。招引和集聚一批封装、测试企业,加快推进芯片测试、封装等生产线建设。巩固扩大现有集成电路芯片封装、测试产业基础优势,支持龙头骨干企业开展兼并重组,形成集成电路封装测试产业区域性优势。到2022年,集成电路封装测试产业产值达到50亿元。
  
  (4)实施集成电路应用推广工程。加快鸿吉智能、北斗导航等企业的建设推进,做实做强北斗高精度导航产品研发生产基地、北斗导航大数据处理中心和位置信息服务平台,建成浙江北斗产业科技公司孵化基地,打造中国东部北斗技术应用推广中心。鼓励集成电路装备企业与制造企业开展协作,加快集成电路专用设备、8英寸/12英寸硅片等集成电路配套材料的研发和产业化,增强产业配套能力。到2022年,集成电路应用领域产值达到150亿元。
  
  《绍兴市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,加速壮大集成电路产业,打造国家集成电路产业创新中心、长三角集成电路制造基地。
  
  近年来,绍兴市把集成电路产业列入新兴产业重点打造,加快培育形成了芯片设计、晶圆制造、封装测试、材料设备等较为完整的特色工艺产业链,实现了集成电路制造与材料特色化发展。2020年,绍兴市123家集成电路产业链企业实现产值304亿元,同比增长25%,并目标到2025年实现总产值逾1000亿元。
  
  2019年5月,《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》正式出台,建设“绍兴集成电路产业创新中心”首次被写入国家战略。
  
  绍兴滨海新区
  
  2020年11月发布的《绍兴滨海新区发展规划》提出,做大集成电路。聚焦创新设计–制造–封测–装备和材料–存储和应用产业全产业链,以制造封测园、存储应用园、创新设计园三大园区建设为重点,以标志性项目引进、领军型企业培育、创新资源要素集聚、体制机制改革为突破口,以“一园一院一基金”模式构建集产业链、创新链、人才链、服务链、资金链于一体的高端集成电路产业生态,高标准建设集成电路省级“万亩千亿”产业平台,建设成为长三角集成电路产业新高地、国家集成电路产业创新中心、集成电路国家及省级实验室。
  
  绍兴滨海新区的集成电路“万亩千亿”产业平台,已布局招引了70余个产业项目,项目总投资超过3000亿元,拥有豪威科技项目、中芯绍兴项目、长电科技(600584)项目等头部项目。
  
  2019年4月,“绍兴集成电路产业平台”入选首批省级“万亩千亿”新产业平台。“万亩千亿”产业平台已布局招引了70余个产业项目,总投资超过3000亿元。聚集了豪威科技项目、中芯绍兴项目、长电科技项目等头部项目的绍兴滨海新区,正在打造国内知名的集成电路产业集群和产城融合发展引领高地,推动着一轮全新的转型。
  
  嘉兴市
  
  《嘉兴市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,重点发展氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料,各类微机电系统(MEMS)传感器、半导体芯片等,集成电路材料、集成电路专用装备与制造等,推动构建设计、制造、封装、测试全产业链,重点布局南湖、嘉善、海宁等半导体产业基地。
  
  金华市
  
  《金华市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,加快推进数字产业化。培育信息光电、光学膜、化合物半导体等特色电子信息制造业,重点布局整机生产制造、芯片封装测试等集成电路(芯片)产业。
  
  衢州市
  
  《衢州市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出,集成电路产业链提升工程。突破新一代信息技术、先进半导体芯片与材料、特种气体等关键技术,完善集成电路制造产业链,做大做强省级集成电路材料产业基地,打造全国具有重要影响力的集成电路产业集群。提升发展电子信息制造业,大力发展高端电子材料、高端存储半导体等数字经济核心制造业。
 
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