原子层沉积技术以精准控制薄层厚度，均匀性，保型性而著称，广泛应用于集成电路(IC)行业，它使得电子器件持续微型化成为可能，逐渐成为了微电子器件制造，半导体领域的必要技术。例如用于制备品体管栅堆垛、刻蚀终止层。
紧凑型原子层沉积系统，系统为全自动的安全互锁设计，并提供了强大的灵活性，可以用于沉积多种薄膜。(可沉积氧的化物: HfO2，AI203,TiO2,Si02ZnO, Ta20等;氮化物:TiN,Si3N4等;)。
应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。带有加热腔壁及屏蔽层，非常方便腔体的清洁。该系统拥有一个载气舱包含4个50ml的加热源，用于前驱体以及反应物，同时带有N2作为运载气体的快脉冲加热传输阀。
ALD原子层沉积设备特点：
·不均匀性低于1%；
·阳极氧化铝腔体；
·小反应腔体容积确保快速的循环时间并提高质量；
·最大可支持4英寸的基片；
·最多支持4路50cc/100cc前驱体源；
·高深宽比结构的保形生长；  |
